Справочник MOSFET. NVF3055-100

 

NVF3055-100 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: NVF3055-100

Маркировка: 3055

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 10.6 nC

Время нарастания (tr): 14 ns

Выходная емкость (Cd): 35 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.11 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

Аналог (замена) для NVF3055-100

 

NVF3055-100 Datasheet (PDF)

1.1. nvf3055-100.pdf Size:103K _update_mosfet

NVF3055-100
NVF3055-100

NTF3055-100, NVF3055-100 Power MOSFET 3.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223 http://onsemi.com Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge 3.0 A, 60 V circuits. RDS(on) = 110 mW Features N-Channel • AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF3055-100 D • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compli

3.1. nvf3055l108.pdf Size:69K _update_mosfet

NVF3055-100
NVF3055-100

NTF3055L108, NVF3055L108 Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N-Channel SOT-223 Designed for low voltage, high speed switching applications in power http://onsemi.com supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 3.0 A, 60 V Features RDS(on) = 120 mW • NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC

 

Другие MOSFET... NTD70N03R , NTE4151P , NTE4153N , NTF2955 , NTF3055-100 , NTF3055L108 , NTF5P03T3 , NTF6P02 , IRF740 , NTGD3148N , NTGD4161P , NTGD4167C , NTGS3130N , NTGS3136P , NTGS3433 , NTGS3441 , NTGS3443 .

 

Back to Top