NVF3055L108 Todos los transistores

 

NVF3055L108 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVF3055L108

Código: 3055L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 2.1 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 60 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 15 V

Corriente continua de drenaje (Id): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Carga de compuerta (Qg): 7.6 nC

Tiempo de elevación (tr): 35 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 112 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.12 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-223

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NVF3055L108 Datasheet (PDF)

1.1. nvf3055l108.pdf Size:69K _update_mosfet

NVF3055L108
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NTF3055L108, NVF3055L108 Power MOSFET 3.0 A, 60 V, Logic Level, N-Channel SOT-223 Designed for low voltage, high speed switching applications in power http://onsemi.com supplies, converters and power motor controls and bridge circuits. 3.0 A, 60 V Features RDS(on) = 120 mW • NVF Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC

3.1. nvf3055-100.pdf Size:103K _update_mosfet

NVF3055L108
NVF3055L108

NTF3055-100, NVF3055-100 Power MOSFET 3.0 Amps, 60 Volts N-Channel SOT-223 http://onsemi.com Designed for low voltage, high speed switching applications in power supplies, converters and power motor controls and bridge 3.0 A, 60 V circuits. RDS(on) = 110 mW Features N-Channel • AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVF3055-100 D • These Devices are Pb-Free and are RoHS Compli

 

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