NVMD6N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVMD6N04
Código: E6N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 20 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 156 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.034 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
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NVMD6N04 Datasheet (PDF)
nvmd6n04.pdf
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