NVMD6N04 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVMD6N04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: SOIC-8

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NVMD6N04 datasheet

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NVMD6N04

NTMD6N04, NVMD6N04 Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 Features Designed for use in low voltage, high speed switching applications Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life http //onsemi.com - RDS(on) = 0.027 W, VGS = 10 V (Typ) - RDS(on) = 0.034 W, VGS = 4.5 V (Typ) VDSS RDS(ON) Typ ID Max Miniature SOIC-8 Surface Mount Packa

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NVMD6N04

NTMD6N03R2, NVMD6N03R2 Power MOSFET 30 V, 6A, Dual N--Channel SOIC--8 http //onsemi.com Features Designed for use in low voltage, high speed switching applications VDSS RDS(ON) Typ ID Max Ultra Low On--Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life 30 V 24 m @VGS =10V 6.0 A -- RDS(on) = 0.024 , VGS = 10 V (Typ) -- RDS(on) = 0.030 , VGS = 4.5 V (Typ) N-

Otros transistores... NVJS3151P, NVJS4151P, NVJS4405N, NVLJD4007NZ, NVLUS4C12N, NVMD3P03, NVMD4N03, NVMD6N03R2G, IRF630, NVMFD5483NL, NVMFD5485NL, NVMFD5489NL, NVMFD5852NL, NVMFD5853N, NVMFD5853NL, NVMFD5873NL, NVMFS4C01N