NVMD6N04 Todos los transistores

 

NVMD6N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVMD6N04
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 156 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOIC-8
 

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NVMD6N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  onsemi
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NVMD6N04

NTMD6N04, NVMD6N04Power MOSFET40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8Features Designed for use in low voltage, high speed switching applications Ultra Low On-Resistance ProvidesHigher Efficiency and Extends Battery Lifehttp://onsemi.com- RDS(on) = 0.027 W, VGS = 10 V (Typ)- RDS(on) = 0.034 W, VGS = 4.5 V (Typ)VDSS RDS(ON) Typ ID Max Miniature SOIC-8 Surface Mount Packa

 7.1. Size:332K  onsemi
 ntmd6n03r2g nvmd6n03r2g.pdf pdf_icon

NVMD6N04

NTMD6N03R2,NVMD6N03R2Power MOSFET30 V, 6A, Dual N--Channel SOIC--8http://onsemi.comFeatures Designed for use in low voltage, high speed switching applicationsVDSS RDS(ON) Typ ID Max Ultra Low On--Resistance ProvidesHigher Efficiency and Extends Battery Life30 V 24 m @VGS =10V 6.0 A-- RDS(on) = 0.024 , VGS = 10 V (Typ)-- RDS(on) = 0.030 , VGS = 4.5 V (Typ)N-

Otros transistores... NVJS3151P , NVJS4151P , NVJS4405N , NVLJD4007NZ , NVLUS4C12N , NVMD3P03 , NVMD4N03 , NVMD6N03R2G , 7N65 , NVMFD5483NL , NVMFD5485NL , NVMFD5489NL , NVMFD5852NL , NVMFD5853N , NVMFD5853NL , NVMFD5873NL , NVMFS4C01N .

History: 2SK526 | SL20N10 | AOD2904

 

 
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