NVMD6N04 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVMD6N04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 156 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для NVMD6N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMD6N04 даташит

 ..1. Size:95K  onsemi
 nvmd6n04.pdf pdf_icon

NVMD6N04

NTMD6N04, NVMD6N04 Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 Features Designed for use in low voltage, high speed switching applications Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life http //onsemi.com - RDS(on) = 0.027 W, VGS = 10 V (Typ) - RDS(on) = 0.034 W, VGS = 4.5 V (Typ) VDSS RDS(ON) Typ ID Max Miniature SOIC-8 Surface Mount Packa

 7.1. Size:332K  onsemi
 ntmd6n03r2g nvmd6n03r2g.pdf pdf_icon

NVMD6N04

NTMD6N03R2, NVMD6N03R2 Power MOSFET 30 V, 6A, Dual N--Channel SOIC--8 http //onsemi.com Features Designed for use in low voltage, high speed switching applications VDSS RDS(ON) Typ ID Max Ultra Low On--Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life 30 V 24 m @VGS =10V 6.0 A -- RDS(on) = 0.024 , VGS = 10 V (Typ) -- RDS(on) = 0.030 , VGS = 4.5 V (Typ) N-

Другие IGBT... NVJS3151P, NVJS4151P, NVJS4405N, NVLJD4007NZ, NVLUS4C12N, NVMD3P03, NVMD4N03, NVMD6N03R2G, IRF630, NVMFD5483NL, NVMFD5485NL, NVMFD5489NL, NVMFD5852NL, NVMFD5853N, NVMFD5853NL, NVMFD5873NL, NVMFS4C01N