PHD3N40E Todos los transistores

 

PHD3N40E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHD3N40E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT428
 

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PHD3N40E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  philips
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PHD3N40E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP3N40E, PHB3N40E, PHD3N40E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.5 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 3.5 sGENERAL DESCRIPTIONN-ch

 9.1. Size:56K  philips
 phd3n20l 1.pdf pdf_icon

PHD3N40E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHD3N20L Logic level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode logic SYMBOL PARAMETER MAX. UNITlevel field-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 200 Vmounting featuring high avalanche ID Drain current (DC) 3.5 Aenergy capability, stab

 9.2. Size:56K  philips
 phd3n20e 1.pdf pdf_icon

PHD3N40E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHD3N20E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope suitable for surface VDS Drain-source voltage 200 Vmounting featuring high avalanche ID Drain current (DC) 3.5 Aenergy capability, stable blocking Ptot Total power d

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History: NE5520279A | FDMC8882 | PHX3N40E

 

 
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