NVMS5P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVMS5P02
Código: E5P02
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.05 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.25 VQgⓘ - Carga de la puerta: 20 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm
Paquete / Cubierta: SOIC-8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET NVMS5P02
NVMS5P02 Datasheet (PDF)
nvms5p02 nvms5p02r2g.pdf
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ntms5p02 nvms5p02.pdf
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