NVMS5P02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVMS5P02  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 510 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.033 Ohm

Тип корпуса: SOIC-8

Аналог (замена) для NVMS5P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVMS5P02 даташит

 ..1. Size:114K  onsemi
 nvms5p02 nvms5p02r2g.pdf pdf_icon

NVMS5P02

NTMS5P02, NVMS5P02 Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts P-Channel Enhancement-Mode Single SOIC-8 Package http //onsemi.com Features VDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Density Power MOSFET with Ultra Low RDS(on) Providing Higher Efficiency -20 V 26 mW @ -4.5 V -5.4 A Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS

 ..2. Size:134K  onsemi
 ntms5p02 nvms5p02.pdf pdf_icon

NVMS5P02

NTMS5P02, NVMS5P02 MOSFET Power, Single, P-Channel, Enhancement Mode, SOIC-8 -5.4 A, -20 V http //onsemi.com Features VDSS RDS(ON) TYP ID MAX High Density Power MOSFET with Ultra Low RDS(on) Providing Higher Efficiency -20 V 26 mW @ -4.5 V -5.4 A Miniature SOIC-8 Surface Mount Package - Saves Board Space Diode Exhibits High Speed with Soft Recovery IDSS Specifi

Другие IGBT... NVMFS5C404NL, NVMFS5C410NL, NVMFS5C423NL, NVMFS5C442NL, NVMFS5C604NL, NVMFS5C612NL, NVMFS5C646NL, NVMFS5C670NL, IRFP450, NVMS5P02R2G, NVR1P02, NVR4003N, NVR4501N, NVR5198NL, NVS4001N, NVS4409N, NVTA7002N