NVR1P02 Todos los transistores

 

NVR1P02 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVR1P02
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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NVR1P02 Datasheet (PDF)

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NVR1P02

NTR1P02, NVR1P02Power MOSFET-20 V, -1 A, P-Channel SOT-23 PackageFeatures Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiencyand Extends Battery Lifehttp://onsemi.comRDS(on) = 0.180 W, VGS = -10 VRDS(on) = 0.280 W, VGS = -4.5 VV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Power Management in Portable and Battery-Powered Products Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Spa

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NVR1P02

NTR1P02, NVR1P02Power MOSFET-20 V, -1 A, P-Channel SOT-23 PackageFeatures Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiencyand Extends Battery Lifewww.onsemi.comRDS(on) = 0.180 W, VGS = -10 VRDS(on) = 0.280 W, VGS = -4.5 VV(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Power Management in Portable and Battery-Powered Products Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space

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History: AON6667 | SIHFI740G | STB120N10F4 | SVS7N70FD2 | CSD17573Q5B

 

 
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