NVR1P02 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVR1P02  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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NVR1P02 datasheet

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NVR1P02

NTR1P02, NVR1P02 Power MOSFET -20 V, -1 A, P-Channel SOT-23 Package Features Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life http //onsemi.com RDS(on) = 0.180 W, VGS = -10 V RDS(on) = 0.280 W, VGS = -4.5 V V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Power Management in Portable and Battery-Powered Products Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Spa

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NVR1P02

NTR1P02, NVR1P02 Power MOSFET -20 V, -1 A, P-Channel SOT-23 Package Features Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life www.onsemi.com RDS(on) = 0.180 W, VGS = -10 V RDS(on) = 0.280 W, VGS = -4.5 V V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Power Management in Portable and Battery-Powered Products Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space

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