NVR1P02 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVR1P02  📄📄 

Маркировка: P2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 2.5 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для NVR1P02

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVR1P02 даташит

 ..1. Size:92K  onsemi
 nvr1p02.pdf pdf_icon

NVR1P02

NTR1P02, NVR1P02 Power MOSFET -20 V, -1 A, P-Channel SOT-23 Package Features Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life http //onsemi.com RDS(on) = 0.180 W, VGS = -10 V RDS(on) = 0.280 W, VGS = -4.5 V V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Power Management in Portable and Battery-Powered Products Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Spa

 ..2. Size:85K  onsemi
 ntr1p02 nvr1p02.pdf pdf_icon

NVR1P02

NTR1P02, NVR1P02 Power MOSFET -20 V, -1 A, P-Channel SOT-23 Package Features Ultra Low On-Resistance Provides Higher Efficiency and Extends Battery Life www.onsemi.com RDS(on) = 0.180 W, VGS = -10 V RDS(on) = 0.280 W, VGS = -4.5 V V(BR)DSS RDS(on) TYP ID MAX Power Management in Portable and Battery-Powered Products Miniature SOT-23 Surface Mount Package Saves Board Space

Другие IGBT... NVMFS5C423NL, NVMFS5C442NL, NVMFS5C604NL, NVMFS5C612NL, NVMFS5C646NL, NVMFS5C670NL, NVMS5P02, NVMS5P02R2G, AO4407, NVR4003N, NVR4501N, NVR5198NL, NVS4001N, NVS4409N, NVTA7002N, NVTFS4C05N, NVTFS4C06N