NVR4501N Todos los transistores

 

NVR4501N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVR4501N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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NVR4501N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  onsemi
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NVR4501N

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 ..2. Size:106K  onsemi
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NVR4501N

NTR4501N, NVR4501NPower MOSFET20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23Features Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switchinghttp://onsemi.com 2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max(Note 1) NVR Prefix for Automotive and Other Applications Requiring70 mW @ 4.5 V 3.6 AUnique Site an

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History: NCEP02T10LL | FXN9N50F | NCEP02T11T | FQPF7P06 | STL110NS3LLH7

 

 
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