NVR4501N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVR4501N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm

Encapsulados: SOT-23

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NVR4501N datasheet

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NVR4501N

NTR4501N, NVR4501N MOSFET Power, Single, N-Channel, SOT-23 20 V, 3.2 A Features www.onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching 2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max (Note 1) SOT-23 Surface Mount for Small Footprint 70 mW @ 4.5 V 3.6 A NVR Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 20 V Uniqu

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NVR4501N

NTR4501N, NVR4501N Power MOSFET 20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23 Features Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching http //onsemi.com 2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max (Note 1) NVR Prefix for Automotive and Other Applications Requiring 70 mW @ 4.5 V 3.6 A Unique Site an

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