Справочник MOSFET. NVR4501N

 

NVR4501N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVR4501N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVR4501N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:192K  onsemi
 ntr4501n nvr4501n.pdf pdf_icon

NVR4501N

NTR4501N, NVR4501NMOSFET Power, Single,N-Channel, SOT-2320 V, 3.2 AFeatureswww.onsemi.com Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switching 2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max(Note 1) SOT-23 Surface Mount for Small Footprint70 mW @ 4.5 V 3.6 A NVR Prefix for Automotive and Other Applications Requiring20 VUniqu

 ..2. Size:106K  onsemi
 nvr4501n.pdf pdf_icon

NVR4501N

NTR4501N, NVR4501NPower MOSFET20 V, 3.2 A, Single N-Channel, SOT-23Features Leading Planar Technology for Low Gate Charge / Fast Switchinghttp://onsemi.com 2.5 V Rated for Low Voltage Gate Drive SOT-23 Surface Mount for Small Footprint V(BR)DSS RDS(on) Typ ID Max(Note 1) NVR Prefix for Automotive and Other Applications Requiring70 mW @ 4.5 V 3.6 AUnique Site an

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FMC80N10T2 | BUK455-100B | NCEAP016N10LL | FDG6320C | SI7413DN | STB10NK60ZT4 | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.