NVS4001N Todos los transistores

 

NVS4001N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVS4001N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.27 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-323
 

 Búsqueda de reemplazo de NVS4001N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

NVS4001N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  onsemi
 nts4001n nvs4001n.pdf pdf_icon

NVS4001N

NTS4001N, NVS4001NMOSFET Single,N-Channel, Small Signal,SC-7030 V, 270 mAhttp://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Gate Charge for Fast Switching1.0 W @ 4.0 V Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6270 mA30 V ESD Protected Gate1.5 W @ 2.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

 ..2. Size:123K  onsemi
 nts4001nt1 nvs4001n.pdf pdf_icon

NVS4001N

NTS4001N, NVS4001NSmall Signal MOSFET30 V, 270 mA, Single N-Channel, SC-70Features Low Gate Charge for Fast Switchinghttp://onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N1.0 W @ 4.0 V270 mA30 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.5 W @ 2.5 V

Otros transistores... NVMFS5C646NL , NVMFS5C670NL , NVMS5P02 , NVMS5P02R2G , NVR1P02 , NVR4003N , NVR4501N , NVR5198NL , P0903BDG , NVS4409N , NVTA7002N , NVTFS4C05N , NVTFS4C06N , NVTFS4C08N , NVTFS4C10N , NVTFS4C13N , NVTFS4C25N .

History: MPSP60M370 | P0270ATFS | SLD5N65S | NCEP40T13AGU | SPN10T10 | CSD17577Q3A | NCE60NF730I

 

 
Back to Top

 


 
.