NVS4001N Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: NVS4001N  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 19 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: SOT-323

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NVS4001N datasheet

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NVS4001N

NTS4001N, NVS4001N MOSFET Single, N-Channel, Small Signal, SC-70 30 V, 270 mA http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Gate Charge for Fast Switching 1.0 W @ 4.0 V Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6 270 mA 30 V ESD Protected Gate 1.5 W @ 2.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

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NVS4001N

NTS4001N, NVS4001N Small Signal MOSFET 30 V, 270 mA, Single N-Channel, SC-70 Features Low Gate Charge for Fast Switching http //onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N 1.0 W @ 4.0 V 270 mA 30 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 1.5 W @ 2.5 V

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