NVS4001N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVS4001N  📄📄 

Маркировка: TD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.27 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.5 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 0.9 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-323

Аналог (замена) для NVS4001N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVS4001N даташит

 ..1. Size:113K  onsemi
 nts4001n nvs4001n.pdf pdf_icon

NVS4001N

NTS4001N, NVS4001N MOSFET Single, N-Channel, Small Signal, SC-70 30 V, 270 mA http //onsemi.com Features V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Gate Charge for Fast Switching 1.0 W @ 4.0 V Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6 270 mA 30 V ESD Protected Gate 1.5 W @ 2.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

 ..2. Size:123K  onsemi
 nts4001nt1 nvs4001n.pdf pdf_icon

NVS4001N

NTS4001N, NVS4001N Small Signal MOSFET 30 V, 270 mA, Single N-Channel, SC-70 Features Low Gate Charge for Fast Switching http //onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6 V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N 1.0 W @ 4.0 V 270 mA 30 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant 1.5 W @ 2.5 V

Другие IGBT... NVMFS5C646NL, NVMFS5C670NL, NVMS5P02, NVMS5P02R2G, NVR1P02, NVR4003N, NVR4501N, NVR5198NL, IRF1407, NVS4409N, NVTA7002N, NVTFS4C05N, NVTFS4C06N, NVTFS4C08N, NVTFS4C10N, NVTFS4C13N, NVTFS4C25N