Справочник MOSFET. NVS4001N

 

NVS4001N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVS4001N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.27 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
 

 Аналог (замена) для NVS4001N

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVS4001N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  onsemi
 nts4001n nvs4001n.pdf pdf_icon

NVS4001N

NTS4001N, NVS4001NMOSFET Single,N-Channel, Small Signal,SC-7030 V, 270 mAhttp://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Gate Charge for Fast Switching1.0 W @ 4.0 V Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6270 mA30 V ESD Protected Gate1.5 W @ 2.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

 ..2. Size:123K  onsemi
 nts4001nt1 nvs4001n.pdf pdf_icon

NVS4001N

NTS4001N, NVS4001NSmall Signal MOSFET30 V, 270 mA, Single N-Channel, SC-70Features Low Gate Charge for Fast Switchinghttp://onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N1.0 W @ 4.0 V270 mA30 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.5 W @ 2.5 V

Другие MOSFET... NVMFS5C646NL , NVMFS5C670NL , NVMS5P02 , NVMS5P02R2G , NVR1P02 , NVR4003N , NVR4501N , NVR5198NL , P0903BDG , NVS4409N , NVTA7002N , NVTFS4C05N , NVTFS4C06N , NVTFS4C08N , NVTFS4C10N , NVTFS4C13N , NVTFS4C25N .

History: GSM9972S | JCS12N65CEI | SQ2337ES | AP6901GSM-HF | AON7518 | BRCS080N02ZJ | 2SK346

 

 
Back to Top

 


 
.