Справочник MOSFET. NVS4001N

 

NVS4001N Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NVS4001N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.27 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 19 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NVS4001N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  onsemi
 nts4001n nvs4001n.pdf pdf_icon

NVS4001N

NTS4001N, NVS4001NMOSFET Single,N-Channel, Small Signal,SC-7030 V, 270 mAhttp://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Gate Charge for Fast Switching1.0 W @ 4.0 V Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6270 mA30 V ESD Protected Gate1.5 W @ 2.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

 ..2. Size:123K  onsemi
 nts4001nt1 nvs4001n.pdf pdf_icon

NVS4001N

NTS4001N, NVS4001NSmall Signal MOSFET30 V, 270 mA, Single N-Channel, SC-70Features Low Gate Charge for Fast Switchinghttp://onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N1.0 W @ 4.0 V270 mA30 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.5 W @ 2.5 V

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: 2SJ569LS | AON7436 | R6524KNX | IRC330 | BUZ37 | IPW60R070P6 | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.