Справочник MOSFET. NVS4001N

 

NVS4001N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: NVS4001N
   Маркировка: TD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.33 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.27 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 0.9 nC
   Время нарастания (tr): 23 ns
   Выходная емкость (Cd): 19 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-323

 Аналог (замена) для NVS4001N

 

 

NVS4001N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  onsemi
 nts4001n nvs4001n.pdf

NVS4001N NVS4001N

NTS4001N, NVS4001NMOSFET Single,N-Channel, Small Signal,SC-7030 V, 270 mAhttp://onsemi.comFeaturesV(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max Low Gate Charge for Fast Switching1.0 W @ 4.0 V Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6270 mA30 V ESD Protected Gate1.5 W @ 2.5 V AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N These Devices are Pb-Free and are RoHS Co

 ..2. Size:123K  onsemi
 nts4001nt1 nvs4001n.pdf

NVS4001N NVS4001N

NTS4001N, NVS4001NSmall Signal MOSFET30 V, 270 mA, Single N-Channel, SC-70Features Low Gate Charge for Fast Switchinghttp://onsemi.com Small Footprint - 30% Smaller than TSOP-6V(BR)DSS RDS(on) TYP ID Max ESD Protected Gate AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable - NVS4001N1.0 W @ 4.0 V270 mA30 V These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant1.5 W @ 2.5 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top