NVTA7002N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NVTA7002N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.154 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-416
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NVTA7002N Datasheet (PDF)
nta7002n nvta7002n.pdf
NTA7002N, NVTA7002NSmall Signal MOSFET30 V, 154 mA, Single, N-Channel, GateESD Protection, SC-75http://onsemi.comFeatures Low Gate Charge for Fast SwitchingRDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1)1.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate30 V 154 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique2.3 W @ 2.5 VSite and
nta7002nt1 nvta7002n.pdf
NTA7002N, NVTA7002NSmall Signal MOSFET30 V, 154 mA, Single, N-Channel, GateESD Protection, SC-75http://onsemi.comFeatures Low Gate Charge for Fast SwitchingRDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1)1.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate30 V 154 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique2.3 W @ 2.5 VSite and
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Liste
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