NVTA7002N Todos los transistores

 

NVTA7002N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: NVTA7002N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.154 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 10 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-416
     - Selección de transistores por parámetros

 

NVTA7002N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:99K  onsemi
 nta7002n nvta7002n.pdf pdf_icon

NVTA7002N

NTA7002N, NVTA7002NSmall Signal MOSFET30 V, 154 mA, Single, N-Channel, GateESD Protection, SC-75http://onsemi.comFeatures Low Gate Charge for Fast SwitchingRDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1)1.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate30 V 154 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique2.3 W @ 2.5 VSite and

 ..2. Size:95K  onsemi
 nta7002nt1 nvta7002n.pdf pdf_icon

NVTA7002N

NTA7002N, NVTA7002NSmall Signal MOSFET30 V, 154 mA, Single, N-Channel, GateESD Protection, SC-75http://onsemi.comFeatures Low Gate Charge for Fast SwitchingRDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1)1.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate30 V 154 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique2.3 W @ 2.5 VSite and

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History: PTP08N65 | IRFN150SMD | FDS4465F085 | STS3P6F6 | AP4411GM-HF | 2N6904 | SI7946ADP

 

 
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