NVTA7002N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NVTA7002N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.154 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 7 Ohm

Тип корпуса: SOT-416

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NVTA7002N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NVTA7002N даташит

 ..1. Size:99K  onsemi
 nta7002n nvta7002n.pdf pdf_icon

NVTA7002N

NTA7002N, NVTA7002N Small Signal MOSFET 30 V, 154 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 http //onsemi.com Features Low Gate Charge for Fast Switching RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1) 1.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate 30 V 154 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 2.3 W @ 2.5 V Site and

 ..2. Size:95K  onsemi
 nta7002nt1 nvta7002n.pdf pdf_icon

NVTA7002N

NTA7002N, NVTA7002N Small Signal MOSFET 30 V, 154 mA, Single, N-Channel, Gate ESD Protection, SC-75 http //onsemi.com Features Low Gate Charge for Fast Switching RDS(on) ID MAX Small 1.6 x 1.6 mm Footprint V(BR)DSS Typ @ VGS (Note 1) 1.4 W @ 4.5 V ESD Protected Gate 30 V 154 mA NV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique 2.3 W @ 2.5 V Site and

Другие IGBT... NVMS5P02, NVMS5P02R2G, NVR1P02, NVR4003N, NVR4501N, NVR5198NL, NVS4001N, NVS4409N, IRF2807, NVTFS4C05N, NVTFS4C06N, NVTFS4C08N, NVTFS4C10N, NVTFS4C13N, NVTFS4C25N, NVTFS5124PL, NVTJD4001N