P50B4EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: P50B4EA
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-252
Búsqueda de reemplazo de P50B4EA MOSFET
P50B4EA Datasheet (PDF)
p50b4ea.pdf
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Otros transistores... NX7002BKXB , OM6005SC , OM6027SC , OM60N10SC , OM6101ST , OM6104ST , OM6105SC , OM6106SC , AO4468 , P50B6EA , P55NF06 , P5N50C , P9B40HP2 , PCP1302 , PCP1402 , PCP1403 , PCP1405 .
History: AOE66410 | AM4407
Liste
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