P50B4EA Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P50B4EA 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm

Encapsulados: TO-252

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Búsqueda de reemplazo de P50B4EA MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

P50B4EA datasheet

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