P50B4EA Todos los transistores

 

P50B4EA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: P50B4EA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 230 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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P50B4EA Datasheet (PDF)

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P50B4EA

P we MOS Eo r F T OUT IELNUntimmP cae BakgFP 0 4 A5B E 4 V5A0 0 P50B4EA 000A00 F aueetr FsS tat wihncig L wRoON

Otros transistores... NX7002BKXB , OM6005SC , OM6027SC , OM60N10SC , OM6101ST , OM6104ST , OM6105SC , OM6106SC , AO4468 , P50B6EA , P55NF06 , P5N50C , P9B40HP2 , PCP1302 , PCP1402 , PCP1403 , PCP1405 .

History: AOE66410 | AM4407

 

 
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