P50B4EA datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P50B4EA  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 230 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 500 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0045 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для P50B4EA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P50B4EA даташит

 ..1. Size:169K  shindengen
 p50b4ea.pdf pdf_icon

P50B4EA

P we MOS E o r F T OUT IE LN Unt i mm P cae B akg F P 0 4 A 5B E 4 V5A 0 0 P50B4EA 000A00 F aue etr FsS t at wihn cig L wR o ON

Другие IGBT... NX7002BKXB, OM6005SC, OM6027SC, OM60N10SC, OM6101ST, OM6104ST, OM6105SC, OM6106SC, 60N06, P50B6EA, P55NF06, P5N50C, P9B40HP2, PCP1302, PCP1402, PCP1403, PCP1405