P9B40HP2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: P9B40HP2  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.5 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-252

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P9B40HP2 datasheet

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P9B40HP2

Title diode-A.ec9 Page 34 Date 2011/02/17 Thu 14 01 39 P we MOS E o r F T OUT IE LN Untmm i P cae B akg F P B 0 P 9 4H 2 40 A 0 V9 P9B40H2 000000 F aue etr Hg otg ihV l ae L wN i o os e

Otros transistores... OM6101ST, OM6104ST, OM6105SC, OM6106SC, P50B4EA, P50B6EA, P55NF06, P5N50C, IRFZ44N, PCP1302, PCP1402, PCP1403, PCP1405, PDM6T20V3, PDM6UT20V08E, PDNM6T20V7E, PDNM6UT20V05