P9B40HP2 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: P9B40HP2  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для P9B40HP2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

P9B40HP2 даташит

 ..1. Size:183K  shindengen
 p9b40hp2.pdf pdf_icon

P9B40HP2

Title diode-A.ec9 Page 34 Date 2011/02/17 Thu 14 01 39 P we MOS E o r F T OUT IE LN Untmm i P cae B akg F P B 0 P 9 4H 2 40 A 0 V9 P9B40H2 000000 F aue etr Hg otg ihV l ae L wN i o os e

Другие IGBT... OM6101ST, OM6104ST, OM6105SC, OM6106SC, P50B4EA, P50B6EA, P55NF06, P5N50C, IRFZ44N, PCP1302, PCP1402, PCP1403, PCP1405, PDM6T20V3, PDM6UT20V08E, PDNM6T20V7E, PDNM6UT20V05