PH1330AL Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH1330AL  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 121 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1415 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0013 Ohm

Encapsulados: LFPAK2

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PH1330AL datasheet

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PH1330AL

PH1330AL N-channel 30 V 1.3 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 01 14 October 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 C. This product is designed for computing customers only 1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low Improved mechanical and thermal RDSon and low gate ch

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PH1330AL

PH1330AL N-channel 30 V 1.3 m logic level MOSFET in LFPAK Rev. 01 14 October 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 C. This product is designed for computing customers only 1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low Improved mechanical and thermal RDSon and low gate ch

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