PH1330AL Todos los transistores

 

PH1330AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH1330AL
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 121 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1415 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0013 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK2
     - Selección de transistores por parámetros

 

PH1330AL Datasheet (PDF)

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PH1330AL

PH1330ALN-channel 30 V 1.3 m logic level MOSFET in LFPAKRev. 01 14 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 C. This product is designed for computing customers only1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low Improved mechanical and thermal RDSon and low gate ch

 ..2. Size:373K  nxp
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PH1330AL

PH1330ALN-channel 30 V 1.3 m logic level MOSFET in LFPAKRev. 01 14 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 C. This product is designed for computing customers only1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low Improved mechanical and thermal RDSon and low gate ch

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History: BUK7880-55A | ET6309 | AP4438 | AP2312GN | IRF8852 | IXFK90N20 | IXTP7N60P

 

 
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