PH1330AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PH1330AL
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 121 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 100 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.15 VQgⓘ - Carga de la puerta: 100 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1415 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0013 Ohm
Paquete / Cubierta: LFPAK2
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PH1330AL
PH1330AL Datasheet (PDF)
ph1330al 1.pdf
PH1330ALN-channel 30 V 1.3 m logic level MOSFET in LFPAKRev. 01 14 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 C. This product is designed for computing customers only1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low Improved mechanical and thermal RDSon and low gate ch
ph1330al.pdf
PH1330ALN-channel 30 V 1.3 m logic level MOSFET in LFPAKRev. 01 14 October 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 150 C. This product is designed for computing customers only1.2 Features and benefits Advanced TrenchMOS provides low Improved mechanical and thermal RDSon and low gate ch
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Liste
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