PH1825AL MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH1825AL

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 104 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 25 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2.15 V

Carga de compuerta (Qg): 31 nC

Tiempo de elevación (tr): 72 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0018 Ohm

Empaquetado / Estuche: LFPAK

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PH1825AL Datasheet (PDF)

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PH1825AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 — 22 April 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and

1.2. ph1825al.pdf Size:205K _philips

PH1825AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 � 22 April 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and bene

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Liste

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