PH1825AL datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: PH1825AL  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для PH1825AL

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH1825AL даташит

 ..1. Size:205K  philips
 ph1825al.pdf pdf_icon

PH1825AL

PH1825AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 22 April 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and

 ..2. Size:205K  nxp
 ph1825al.pdf pdf_icon

PH1825AL

PH1825AL N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 22 April 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only. 1.2 Features and

Другие IGBT... PDNM6UT20V05, PDNM8TP20V6E, PDNM8TP20V7E, PDPM6N20V3, PH1225AL, PH1330AL, PH16030L, PH1730AL, IRF640N, PH1875L, PH1930AL, PH1955L, PH20100S, PH2525L, PH2530AL, PH2625L, PH3030AL