PH1875L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PH1875L

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 62.5 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 75 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 15 V

Corriente continua de drenaje (Id): 45.8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 2 V

Carga de compuerta (Qg): 33.4 nC

Tiempo de elevación (tr): 80 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 285 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0165 Ohm

Empaquetado / Estuche: LFPAK

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PH1875L Datasheet (PDF)

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PH1875L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 — 29 November 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance Low thermal resistance Surface-mounted package 1.3 Applications DC

1.2. ph1875l.pdf Size:102K _philips

PH1875L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 � 29 November 2005 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance Low thermal resistance Surface-mounted package 1.3 Applications DC moto

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