PH1875L Todos los transistores

 

PH1875L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH1875L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45.8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 285 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0165 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
 

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PH1875L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  philips
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PH1875L

PH1875LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 29 November 2005 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plasticpackage using TrenchMOS technology.1.2 Features Logic level threshold Very low on-state resistance Low thermal resistance Surface-mounted package1.3 Applications DC

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