PH4330L Todos los transistores

 

PH4330L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PH4330L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 95.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 43 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 579 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0043 Ohm
   Paquete / Cubierta: LFPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

PH4330L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:187K  philips
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PH4330L

PH4330LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 22 October 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology.1.2 Features and benefits 100 % gate resistance tested Optimized for use in DC-DC converters 100 % ruggedness tested Very low sw

 ..2. Size:187K  nxp
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PH4330L

PH4330LN-channel TrenchMOS logic level FETRev. 01 22 October 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionLogic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology.1.2 Features and benefits 100 % gate resistance tested Optimized for use in DC-DC converters 100 % ruggedness tested Very low sw

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History: CEM9936A | BSP322P | LSH65R1K5HT

 

 
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