PH4330L. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PH4330L

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 95.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 43 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 579 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0043 Ohm

Тип корпуса: LFPAK

Аналог (замена) для PH4330L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PH4330L даташит

 ..1. Size:187K  philips
 ph4330l.pdf pdf_icon

PH4330L

PH4330L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 22 October 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features and benefits 100 % gate resistance tested Optimized for use in DC-DC converters 100 % ruggedness tested Very low sw

 ..2. Size:187K  nxp
 ph4330l.pdf pdf_icon

PH4330L

PH4330L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 22 October 2008 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features and benefits 100 % gate resistance tested Optimized for use in DC-DC converters 100 % ruggedness tested Very low sw

Другие IGBT... PH3030AL, PH3230S, PH3330L, PH3430AL, PH3830L, PH3855L, PH4025L, PH4030AL, 2N7002, PH4530L, PH4830L, PH4840S, PH5030AL, PH5330E, PH5525L, PH6030AL, PH6030L