PH9025L MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PH9025L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 66 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 387 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm
Encapsulados: LFPAK
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PH9025L datasheet
ph9025l.pdf
PH9025L N-channel TrenchMOS logic level FET Rev. 01 23 August 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features Logic level threshold Lead-free package Optimized for use in DC-to-DC Very low switching and conduction converters losses
Otros transistores... PH5525L, PH6030AL, PH6030L, PH6325L, PH7030AL, PH7030L, PH8030L, PH8230E, 5N65, PH9030AL, PH9030L, PH955L, PH9930L, PHK4NQ10T, PHK4NQ20T, PHM12NQ20T, PHM15NQ20T
History: QM04N65F1 | APT30M30B2LLG
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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