PHM18NQ15T Todos los transistores

 

PHM18NQ15T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHM18NQ15T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: QLPAK
 

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PHM18NQ15T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  philips
 phm18nq15t.pdf pdf_icon

PHM18NQ15T

PHM18NQ15TTrenchMOS standard level FETRev. 02 20 August 2004 Product dataM3D8791. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mounted package Low profile.1.3 Applications DC-to-DC converter primary sid

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History: 2SJ194 | 2SJ312 | SSM6J21TU | IXFT42N50P2 | OSG60R1K2FF | AON3806 | NCE01P30D

 

 
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