PHM18NQ15T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHM18NQ15T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: QLPAK

Аналог (замена) для PHM18NQ15T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHM18NQ15T даташит

 ..1. Size:89K  philips
 phm18nq15t.pdf pdf_icon

PHM18NQ15T

PHM18NQ15T TrenchMOS standard level FET Rev. 02 20 August 2004 Product data M3D879 1. Product profile 1.1 Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS technology. 1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mounted package Low profile. 1.3 Applications DC-to-DC converter primary sid

Другие IGBT... PH9030AL, PH9030L, PH955L, PH9930L, PHK4NQ10T, PHK4NQ20T, PHM12NQ20T, PHM15NQ20T, IRFP450, PHM21NQ15T, PHM25NQ10T, PHM30NQ10T, PHT2NQ10T, PI5101-00-LGIZ, PJ2301, PJ2306, PJ4N3KDW