Справочник MOSFET. PHM18NQ15T

 

PHM18NQ15T Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHM18NQ15T
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 187 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: QLPAK
 

 Аналог (замена) для PHM18NQ15T

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHM18NQ15T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:89K  philips
 phm18nq15t.pdf pdf_icon

PHM18NQ15T

PHM18NQ15TTrenchMOS standard level FETRev. 02 20 August 2004 Product dataM3D8791. Product profile1.1 DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology.1.2 Features SOT96 (SO-8) footprint compatible Low thermal resistance Surface mounted package Low profile.1.3 Applications DC-to-DC converter primary sid

Другие MOSFET... PH9030AL , PH9030L , PH955L , PH9930L , PHK4NQ10T , PHK4NQ20T , PHM12NQ20T , PHM15NQ20T , IRF1407 , PHM21NQ15T , PHM25NQ10T , PHM30NQ10T , PHT2NQ10T , PI5101-00-LGIZ , PJ2301 , PJ2306 , PJ4N3KDW .

History: FQD13N10LTF | TPCJ2101

 

 
Back to Top

 


 
.