QH8MA2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QH8MA2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 62 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: TSMT8

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QH8MA2 datasheet

 ..1. Size:4311K  rohm
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QH8MA2

QH8MA2 Datasheet 30V Nch+Pch Power MOSFET lOutline l TSMT8 Symbol Tr1 Nch Tr2 Pch VDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 35m 80m ID 4.5A 3A PD 1.5W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-free lead plati

 9.1. Size:4739K  rohm
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QH8MA2

QH8MA4 Datasheet 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET lOutline l TSMT8 Tr1 Nch Tr2 Pch Symbol VDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 16.0m 28.6m ID 9.0A 8.0A PD 2.6W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-f

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QH8MA2

QH8MA3 Datasheet 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET lOutline l TSMT8 Tr1 Nch Tr2 Pch Symbol VDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 29m 48m ID 7.0A 5.5A PD 2.5W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-free

Otros transistores... PHM30NQ10T, PHT2NQ10T, PI5101-00-LGIZ, PJ2301, PJ2306, PJ4N3KDW, QH8KA1, QH8KA2, SI2302, QH8MA3, QH8MA4, QJD1210006, QJD1210007, QJD1210010, QJD1210011, QM0004D, QM0004G