QH8MA4 Todos los transistores

 

QH8MA4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QH8MA4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSMT8
     - Selección de transistores por parámetros

 

QH8MA4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4739K  rohm
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QH8MA4

QH8MA4Datasheet30V Nch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8Tr1:Nch Tr2:PchSymbolVDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 16.0m 28.6m ID 9.0A 8.0A PD 2.6W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-f

 9.1. Size:4499K  rohm
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QH8MA4

QH8MA3Datasheet30V Nch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8Tr1:Nch Tr2:PchSymbolVDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 29m 48m ID 7.0A 5.5A PD 2.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free

 9.2. Size:4311K  rohm
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QH8MA4

QH8MA2Datasheet30V Nch+Pch Power MOSFETlOutlinel TSMT8Symbol Tr1:Nch Tr2:PchVDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 35m 80m ID 4.5A 3A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free lead plati

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History: BLF6G21-10G | IRFZ24NLPBF | FDB8443 | SWMN7N65K | SIA426DJ | S60N15RP | IRFS143

 

 
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