QH8MA4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: QH8MA4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: TSMT8

Аналог (замена) для QH8MA4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QH8MA4 даташит

 ..1. Size:4739K  rohm
 qh8ma4.pdf pdf_icon

QH8MA4

QH8MA4 Datasheet 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET lOutline l TSMT8 Tr1 Nch Tr2 Pch Symbol VDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 16.0m 28.6m ID 9.0A 8.0A PD 2.6W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-f

 9.1. Size:4499K  rohm
 qh8ma3.pdf pdf_icon

QH8MA4

QH8MA3 Datasheet 30V Nch+Pch Middle Power MOSFET lOutline l TSMT8 Tr1 Nch Tr2 Pch Symbol VDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 29m 48m ID 7.0A 5.5A PD 2.5W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-free

 9.2. Size:4311K  rohm
 qh8ma2.pdf pdf_icon

QH8MA4

QH8MA2 Datasheet 30V Nch+Pch Power MOSFET lOutline l TSMT8 Symbol Tr1 Nch Tr2 Pch VDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 35m 80m ID 4.5A 3A PD 1.5W lFeatures l lInner circuit l 1) Low on - resistance. 2) Small Surface Mount Package (TSMT8). 3) Pb-free lead plati

Другие IGBT... PI5101-00-LGIZ, PJ2301, PJ2306, PJ4N3KDW, QH8KA1, QH8KA2, QH8MA2, QH8MA3, 18N50, QJD1210006, QJD1210007, QJD1210010, QJD1210011, QM0004D, QM0004G, QM0004P, QM0004S