Справочник MOSFET. QH8MA4

 

QH8MA4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QH8MA4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm
   Тип корпуса: TSMT8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

QH8MA4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:4739K  rohm
 qh8ma4.pdf pdf_icon

QH8MA4

QH8MA4Datasheet30V Nch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8Tr1:Nch Tr2:PchSymbolVDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 16.0m 28.6m ID 9.0A 8.0A PD 2.6W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-f

 9.1. Size:4499K  rohm
 qh8ma3.pdf pdf_icon

QH8MA4

QH8MA3Datasheet30V Nch+Pch Middle Power MOSFETlOutlinel TSMT8Tr1:Nch Tr2:PchSymbolVDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 29m 48m ID 7.0A 5.5A PD 2.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free

 9.2. Size:4311K  rohm
 qh8ma2.pdf pdf_icon

QH8MA4

QH8MA2Datasheet30V Nch+Pch Power MOSFETlOutlinel TSMT8Symbol Tr1:Nch Tr2:PchVDSS 30V -30V RDS(on)(Max.) 35m 80m ID 4.5A 3A PD 1.5W lFeaturesllInner circuitl1) Low on - resistance.2) Small Surface Mount Package (TSMT8).3) Pb-free lead plati

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ME7644-G | SFW9634 | IPI80N04S3-06 | FCPF9N60NT | MX2N4093 | PMCPB5530X | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.