PHP2N60E Todos los transistores

 

PHP2N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP2N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT78
 

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PHP2N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  philips
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PHP2N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N60E, PHB2N60E, PHD2N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 6 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan

 ..2. Size:76K  philips
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PHP2N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N60E, PHB2N60E, PHD2N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 6 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan

 7.1. Size:50K  philips
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PHP2N60E

Philips Semiconductors Product specification-------------------------------------------------------------------------------------------------------------- PowerMOS transistor PHP2N60 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel

 9.1. Size:57K  philips
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PHP2N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP2N40 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 400 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 2.5 Aoff-state characteristics, fast Ptot Total power dissipati

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History: HFD1N60SA

 

 
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