Справочник MOSFET. PHP2N60E

 

PHP2N60E Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP2N60E
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: SOT78
 

 Аналог (замена) для PHP2N60E

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP2N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:75K  philips
 php2n60e phb2n60e phd2n60e.pdf pdf_icon

PHP2N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N60E, PHB2N60E, PHD2N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 6 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan

 ..2. Size:76K  philips
 php2n60e 3.pdf pdf_icon

PHP2N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP2N60E, PHB2N60E, PHD2N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 1.9 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 6 sGENERAL DESCRIPTIONN-chan

 7.1. Size:50K  philips
 php2n60 1.pdf pdf_icon

PHP2N60E

Philips Semiconductors Product specification-------------------------------------------------------------------------------------------------------------- PowerMOS transistor PHP2N60 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel

 9.1. Size:57K  philips
 php2n40 1.pdf pdf_icon

PHP2N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP2N40 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 400 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 2.5 Aoff-state characteristics, fast Ptot Total power dissipati

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , SPP20N60C3 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HFD1N60SA | HFA24N50G

 

 
Back to Top

 


 
.