QM0020AP Todos los transistores

 

QM0020AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM0020AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 128 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1042 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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QM0020AP Datasheet (PDF)

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QM0020AP

QM0020AP N-Ch 80V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM0020AP is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 100V 8.5m 128Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM0020AP meet the RoHS and Green Product requirement

 8.1. Size:304K  ubiq
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QM0020AP

QM0020P N-Ch 100V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM0020P is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 100V 5.7m 163Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM0020P meet the RoHS and Green Product requirement

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History: IXTH102N15T | QM2402V | QM2403V

 

 
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