QM0020AP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM0020AP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 128 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1042 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO-220

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QM0020AP datasheet

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QM0020AP

QM0020AP N-Ch 80V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM0020AP is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 100V 8.5m 128A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM0020AP meet the RoHS and Green Product requirement

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QM0020AP

QM0020P N-Ch 100V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM0020P is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 100V 5.7m 163A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM0020P meet the RoHS and Green Product requirement

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