QM0020AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM0020AP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 128 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1042 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET QM0020AP
QM0020AP Datasheet (PDF)
qm0020ap.pdf
QM0020AP N-Ch 80V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM0020AP is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 100V 8.5m 128Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM0020AP meet the RoHS and Green Product requirement
qm0020p.pdf
QM0020P N-Ch 100V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM0020P is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 100V 5.7m 163Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM0020P meet the RoHS and Green Product requirement
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Liste
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