QM01N65D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM01N65D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 41.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17.8 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 12 Ohm

Encapsulados: TO-252

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QM01N65D datasheet

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QM01N65D

QM01N65D 1 2011-06-22 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM01N65D is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 12 1.2A most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM01N65D meet the RoHS and

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QM01N65U 1 2011-05-25 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM01N65U is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 12 1.2A most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM01N65U meet the RoHS and

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QM01N65D

QM01N65L 1 2011-06-15 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM01N65L is the highest performance N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which BVDSS RDSON ID provide excellent RDSON and gate charge for 650V 12 0.2A most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM01N65L meet the RoHS and

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