QM02N65D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM02N65D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm

Encapsulados: TO-252

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QM02N65D datasheet

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QM02N65D

QM02N65D 1 2011-03-03 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM02N65D is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltage BVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 8 2A gate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM02N65D meet

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QM02N65D

QM02N65U 1 2010-04-27 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM02N65U is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 650V 8 2A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM02N65U meet the RoHS

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