QM03N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM03N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.9 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
Búsqueda de reemplazo de QM03N65F MOSFET
QM03N65F Datasheet (PDF)
qm03n65f.pdf

QM03N65F 1 2011-03-03 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM03N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltageBVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 4 3Agate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM03N65F mee
qm03n65d.pdf

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History: BLP042N10G-P | IPD50R3K0CE | SIA426DJ | QM2401C1 | IPD50R380CE | QM2401V | PSMN3R3-40YS
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Liste
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