QM03N65F Todos los transistores

 

QM03N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM03N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
     - Selección de transistores por parámetros

 

QM03N65F Datasheet (PDF)

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QM03N65F

QM03N65F 1 2011-03-03 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM03N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltageBVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 4 3Agate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM03N65F mee

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QM03N65F

QM03N65D 1 2011-03-03 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM03N65D is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltageBVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 4 3Agate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM03N65D mee

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History: NTMFS4925NT1G | VS3620DP-G | 2SJ152

 

 
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