QM03N65F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QM03N65F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.9 Ohm

Encapsulados: TO-220F

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QM03N65F datasheet

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QM03N65F

QM03N65F 1 2011-03-03 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM03N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltage BVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 4 3A gate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM03N65F mee

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QM03N65F

QM03N65D 1 2011-03-03 - 1 - N-Ch 650V Fast Switching MOSFETs General Description Product Summery The QM03N65D is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltage BVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 4 3A gate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM03N65D mee

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