QM03N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: QM03N65F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 38.5 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.9 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для QM03N65F
QM03N65F Datasheet (PDF)
qm03n65f.pdf

QM03N65F 1 2011-03-03 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM03N65F is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltageBVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 4 3Agate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM03N65F mee
qm03n65d.pdf

QM03N65D 1 2011-03-03 - 1 -N-Ch 650V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM03N65D is the highest performance N-ch MOSFETs with specialized high voltageBVDSS RDSON ID technology, which provide excellent RDSON and 650V 4 3Agate charge for most of the SPS, Charger ,Adapter and lighting applications . Applications The QM03N65D mee
Другие MOSFET... QM0020AP , QM0020P , QM01N65D , QM01N65L , QM01N65U , QM02N65D , QM02N65U , QM03N65D , IRFP064N , QM04N60F , QM04N65B , QM04N65D , QM04N65F , QM04N65F1 , QM06N65F , QM07N60F , QM08N60F .
History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7
History: CJ3139KDW | CEB6060N | IXTQ96N15P | FDS5170N7



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx | 2sc1364