PHP37N06LT MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

PHP37N06LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHP37N06LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOT78

Búsqueda de reemplazo de PHP37N06LT MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

PHP37N06LT datasheet

..1. Size:78K philips
php37n06lt phb37n06lt phd37n06lt.pdf pdf_icon

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP37N06LT, PHB37N06LT, PHD37N06LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology VDSS = 55 V d Very low on-state resistance Fast switching ID = 37 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 35 m (VGS = 5 V) g Low thermal

..2. Size:64K philips
php37n06lt 3.pdf pdf_icon

6.1. Size:53K philips
php37n06t 1.pdf pdf_icon

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP37N06T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 55 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 37 A features very low on-state r

Otros transistores... PHP130N03LT, PHP18N20E, PHP21N06LT, PHP2N50E, PHP2N60E, PHP3055E, PHP3055L, PHP33N10, IRFZ24N, PHP3N40E, PHP3N50E, PHP3N60E, PHP42N03LT, PHP44N06LT, PHP4N60E, PHP4ND40E, PHP50N03LT

PHP37N06LT Todos los transistores