PHP3N50E Todos los transistores

 

PHP3N50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP3N50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT78
 

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PHP3N50E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:78K  philips
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PHP3N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP3N50E, PHB3N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 3.4 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 3 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enhan

 7.1. Size:52K  philips
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PHP3N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP3N50 GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 500 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 3.4 Aoff-state characteristics, fast Ptot Total power dissipati

 9.1. Size:79K  philips
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PHP3N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP3N60E, PHB3N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.8 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 4.4 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enh

 9.2. Size:103K  philips
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PHP3N50E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP3N40E, PHB3N40E, PHD3N40E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 400 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 2.5 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 3.5 sGENERAL DESCRIPTIONN-ch

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History: HUF75623P3

 

 
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