PHP4N60E MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHP4N60E

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: SOT78

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PHP4N60E datasheet

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PHP4N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP4N60E, PHB4N60E Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 4.5 A g Low thermal resistance RDS(ON) 2.5 s GENERAL DESCRIPTION N-channel, enh

 9.1. Size:64K  philips
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PHP4N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP4ND40E, PHB4ND40E FREDFET, Avalanche energy rated FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA d Repetitive Avalanche Rated VDSS = 400 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 4.4 A High thermal cycling performance g Low thermal resistance RDS(ON) 1.8 Fast reverse recovery di

 9.2. Size:20K  philips
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PHP4N60E

Philips Semiconductors Objective specification PowerMOS transistor PHP4N50E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 500 V avalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 5.3 A blocking voltage, fast switching and Ptot Total power d

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