PHP4N60E Todos los transistores

 

PHP4N60E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PHP4N60E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT78
 

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PHP4N60E Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  philips
 php4n60e phb4n60e.pdf pdf_icon

PHP4N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP4N60E, PHB4N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 4.5 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 2.5 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enh

 9.1. Size:64K  philips
 php4nd40e 2.pdf pdf_icon

PHP4N60E

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP4ND40E, PHB4ND40E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 400 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 4.4 A High thermal cycling performanceg Low thermal resistance RDS(ON) 1.8 Fast reverse recovery di

 9.2. Size:20K  philips
 php4n50e 1.pdf pdf_icon

PHP4N60E

Philips Semiconductors Objective specification PowerMOS transistor PHP4N50E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 500 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 5.3 Ablocking voltage, fast switching and Ptot Total power d

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History: IRFP4668

 

 
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