PHP4ND40E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHP4ND40E
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 400 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT78
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP4ND40E
PHP4ND40E Datasheet (PDF)
php4nd40e 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP4ND40E, PHB4ND40E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 400 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 4.4 A High thermal cycling performanceg Low thermal resistance RDS(ON) 1.8 Fast reverse recovery di
php4n60e phb4n60e.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP4N60E, PHB4N60E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 600 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 4.5 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 2.5 sGENERAL DESCRIPTIONN-channel, enh
php4n50e 1.pdf
Philips Semiconductors Objective specification PowerMOS transistor PHP4N50E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 500 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 5.3 Ablocking voltage, fast switching and Ptot Total power d
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