PHP55N03LT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PHP55N03LT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 103 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 55 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT78
Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP55N03LT
PHP55N03LT Datasheet (PDF)
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Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP55N03LT, PHB55N03LT Logic level FET PHD55N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 55 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 14 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 18 m (VGS
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PHP55N03LTA;PHB55N03LTA;PHD55N03LTAN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 02 2 August 2001 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP55N03LTA in a SOT78 (TO-220AB)PHB55N03LTA in a SOT404 (D2-PAK)PHD55N03LTA in a SOT428 (D-PAK).2. Features Low
php55n03t 2.pdf
Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP55N03T Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 Vtrench technology. The device ID Drain current (DC) 55 Afeatures very low on-state r
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