PHP55N03LT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PHP55N03LT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 103 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOT78

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PHP55N03LT datasheet

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PHP55N03LT

Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOS transistor PHP55N03LT, PHB55N03LT Logic level FET PHD55N03LT FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 25 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 55 A Low thermal resistance Logic level compatible RDS(ON) 14 m (VGS = 10 V) g RDS(ON) 18 m (VGS

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PHP55N03LT

PHP55N03LTA;PHB55N03LTA; PHD55N03LTA N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02 2 August 2001 Product data 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP55N03LTA in a SOT78 (TO-220AB) PHB55N03LTA in a SOT404 (D2-PAK) PHD55N03LTA in a SOT428 (D-PAK). 2. Features Low

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PHP55N03LT

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP55N03T Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope using VDS Drain-source voltage 30 V trench technology. The device ID Drain current (DC) 55 A features very low on-state r

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