PHP8ND50E MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: PHP8ND50E
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 147 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT78

Búsqueda de reemplazo de MOSFET PHP8ND50E

PHP8ND50E Datasheet (PDF)

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Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP8ND50E, PHB8ND50E, PHW8ND50E FREDFET, Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated VDSS = 500 V Fast switching Stable off-state characteristics ID = 8.5 A High thermal cycling performanceg Low thermal resistance RDS(ON) 0.85 Fast reverse

..2. Size:72K philips
php8nd50e 3.pdf

9.1. Size:90K philips
php8n50e phb8n50e phw8n50e.pdf

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistors PHP8N50E, PHB8N50E, PHW8N50E Avalanche energy ratedFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATAd Repetitive Avalanche Rated Fast switching VDSS = 500 V Stable off-state characteristics High thermal cycling performance ID = 8.5 Ag Low thermal resistanceRDS(ON) 0.85 sGENERAL DESCRIPTIONN-c

9.2. Size:59K philips
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Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor PHP8N20E GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITfield-effect power transistor in aplastic envelope featuring high VDS Drain-source voltage 200 Vavalanche energy capability, stable ID Drain current (DC) 9.2 Ablocking voltage, fast switching and Ptot Total power dis

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Liste

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