QM6020AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: QM6020AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 198 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 89 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 40.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1565 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET QM6020AP

QM6020AP Datasheet (PDF)

..1. Size:347K ubiq
qm6020ap.pdf

QM6020AP N-Ch 60V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM6020AP is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 60V 3.8m 198Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM6020AP meet the RoHS and Green Product requirement

8.1. Size:304K ubiq
qm6020p.pdf

QM6020P N-Ch 60V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM6020P is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 60V 2.8m 242Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM6020P meet the RoHS and Green Product requirement , 1

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Liste

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