QM6020AP Todos los transistores

 

QM6020AP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM6020AP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 198 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1565 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
     - Selección de transistores por parámetros

 

QM6020AP Datasheet (PDF)

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QM6020AP

QM6020AP N-Ch 60V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM6020AP is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 60V 3.8m 198Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM6020AP meet the RoHS and Green Product requirement

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QM6020AP

QM6020P N-Ch 60V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM6020P is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 60V 2.8m 242Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM6020P meet the RoHS and Green Product requirement , 1

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History: 2SK2727 | FDN338 | NP88N04KUG | 2SK3107C | FDB031N08 | IRF3205ZS | S10H12S

 

 
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