QM6214Q Todos los transistores

 

QM6214Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: QM6214Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDIP-8
 

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QM6214Q Datasheet (PDF)

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QM6214Q

QM6214Q Dual N-Ch 60V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM6214Q is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 40m 60V 5.1A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM6214Q meet the RoHS and Green Product requireme

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QM6214Q

QM6214S Dual N-Ch 60V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM6214S is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 40m 60V 4.5A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM6214S meet the RoHS and Green Product requireme

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