QM7020P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: QM7020P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 195 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1387 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de QM7020P MOSFET
QM7020P Datasheet (PDF)
qm7020p.pdf

QM7020P N-Ch 75V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM7020P is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 75V 3.8m 195Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM7020P meet the RoHS and Green Product requirement , 1
Otros transistores... QM6020P , QM6204S , QM6208S , QM6208V , QM6214Q , QM6214S , QM6301S , QM7018AD , IRFB31N20D , QM8014D , QM8014U , QM8205V , QN7002 , QS5K2 , QS5U12 , QS5U13 , QS5U16 .
History: IRF7105Q | IPD034N06N3G | STD60NF55LT4 | VBZM13N50 | OSG95R1K2PF
History: IRF7105Q | IPD034N06N3G | STD60NF55LT4 | VBZM13N50 | OSG95R1K2PF



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856 | 30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291