QM7020P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: QM7020P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 260 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 195 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 487 nC
Время нарастания (tr): 10.4 ns
Выходная емкость (Cd): 1387 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0038 Ohm
Тип корпуса: TO-220
QM7020P Datasheet (PDF)
qm7020p.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
QM7020P N-Ch 75V Fast Switching MOSFETsGeneral Description Product SummeryThe QM7020P is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , BVDSS RDSON ID which provide excellent RDSON and gate charge 75V 3.8m 195Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The QM7020P meet the RoHS and Green Product requirement , 1
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .