QN7002 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: QN7002

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm

Encapsulados: SC-59

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QN7002 datasheet

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QN7002

Preliminary Data Sheet R07DS0269EJ0100 QN7002 Rev.1.00 Mar 11, 2011 N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The QN7002, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on)1 = 2.7 MAX. (VGS = 10 V,

Otros transistores... QM6214Q, QM6214S, QM6301S, QM7018AD, QM7020P, QM8014D, QM8014U, QM8205V, 8N60, QS5K2, QS5U12, QS5U13, QS5U16, QS5U17, QS5U21, QS5U23, QS5U26