QN7002 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: QN7002
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC-59

Búsqueda de reemplazo de MOSFET QN7002

QN7002 Datasheet (PDF)

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qn7002.pdf

Preliminary Data Sheet R07DS0269EJ0100QN7002 Rev.1.00Mar 11, 2011N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The QN7002, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on)1 = 2.7 MAX. (VGS = 10 V,

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Liste

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