QN7002 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: QN7002

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: SC-59

Аналог (замена) для QN7002

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QN7002 даташит

 ..1. Size:165K  renesas
 qn7002.pdf pdf_icon

QN7002

Preliminary Data Sheet R07DS0269EJ0100 QN7002 Rev.1.00 Mar 11, 2011 N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The QN7002, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on)1 = 2.7 MAX. (VGS = 10 V,

Другие IGBT... QM6214Q, QM6214S, QM6301S, QM7018AD, QM7020P, QM8014D, QM8014U, QM8205V, 8N60, QS5K2, QS5U12, QS5U13, QS5U16, QS5U17, QS5U21, QS5U23, QS5U26