QN7002 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: QN7002
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
Тип корпуса: SC-59
Аналог (замена) для QN7002
QN7002 Datasheet (PDF)
qn7002.pdf

Preliminary Data Sheet R07DS0269EJ0100QN7002 Rev.1.00Mar 11, 2011N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The QN7002, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on)1 = 2.7 MAX. (VGS = 10 V,
Другие MOSFET... QM6214Q , QM6214S , QM6301S , QM7018AD , QM7020P , QM8014D , QM8014U , QM8205V , IRFB31N20D , QS5K2 , QS5U12 , QS5U13 , QS5U16 , QS5U17 , QS5U21 , QS5U23 , QS5U26 .
History: FDFMA2P853 | FDFMA2P859T | FDFMA2P029Z
History: FDFMA2P853 | FDFMA2P859T | FDFMA2P029Z



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
30100 transistor | 2sc1675 | k117 transistor | 2sc2291 | bc139 | 2sc1398 | 2sd218 | bc547 характеристики