Справочник MOSFET. QN7002

 

QN7002 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: QN7002
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: SC-59
 

 Аналог (замена) для QN7002

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

QN7002 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:165K  renesas
 qn7002.pdf pdf_icon

QN7002

Preliminary Data Sheet R07DS0269EJ0100QN7002 Rev.1.00Mar 11, 2011N-CHANNEL MOSFET FOR SWITCHING Description The QN7002, N-channel vertical type MOSFET designed for general-purpose switch, is a device which can be driven directly by a 4.5 V power source. Features Directly driven by a 4.5 V power source. Low on-state resistance RDS(on)1 = 2.7 MAX. (VGS = 10 V,

Другие MOSFET... QM6214Q , QM6214S , QM6301S , QM7018AD , QM7020P , QM8014D , QM8014U , QM8205V , K2611 , QS5K2 , QS5U12 , QS5U13 , QS5U16 , QS5U17 , QS5U21 , QS5U23 , QS5U26 .

 

 
Back to Top

 


 
.